ATENALTUSENCOLAN

Системы управления IT инфраструктурой

KVM переключатели и IP-удлинители, консольные серверы.

Устройства управления электропитанием и мониторинга среды.

Системы коммутации и передачи аудио- видеоконтента.



Authorization letter

Поиск


Выберите товар:














www.ALTUSEN.ru (Москва)
откроется в новом окне
Rambler's Top100
позиция в рейтинге

Техническая информация / Память


<< оглавление

версия для печати


Главная

Техническая информация

Память

EDO RAM - Extended Data Out Dynamic Random Access Memory


EDO RAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory) - Динамическое ОЗУ с расширенными возможностями вывода

Несколько более быстродействующий тип динамического ОЗУ (Dynamic Random Access Memory) no сравнению с динамическим ОЗУ, работающим в режиме ускоренного страничного обмена (Fast-Page Mode DRAM FPM DRAM). В свою очередь, динамическое ОЗУ, работающее в режиме ускоренного страничного обмена, является более быстродействующим, чем обычное динамическое ОЗУ.

Память EDO DRAM действует по принципу динамического ОЗУ, работающего в режиме ускоренного страничного обмена, однако при этом в ОЗУ имеются дополнительные регистры-защелки, благодаря которым оно может продолжать вывод содержимого ячейки памяти, к которой осуществляется доступ даже после того как компьютер приступит к указанию адреса следующей считываемой ячейки. Поэтому у компьютера есть время для чтения указанного содержимого, в частности, операция считывания продолжается во время предоставления ИС памяти первой части следующего адреса, т.е. адреса столбца (column address). Это означает, что новый цикл обращения к памяти начинается еще до завершения предыдущего цикла. Подобное "перекрытие" сокращает время цикла обращения к памяти, что актуально для таких более быстродействующих ЦП, как Pentium с тактовой частотой 120 МГц и выше.

Доступ к памяти EDO DRAM нередко определяется формулой 6-2-2-2. Это означает, что для первого доступа к памяти в пакетном режиме требуется 6 тактовых циклов, поскольку при этом необходимо полностью указать адрес памяти, однако для каждого из трех последующих доступов требуется только 2 тактовых цикла, поскольку при этом необходимо указать лишь адрес столбца.

Подобно стандартным динамическим ОЗУ время доступа к памяти EDO DRAM, как правило, составляет 60 или 70 нc, однако благодаря перекрывающемуся характеру доступа время цикла, т.е. интервал последовательных операций ввода-вывода, может соответствовать тактовым частотам шины 66, 70 и даже 83 МГц по сравнению с максимальной тактовой частотой шины 33 МГц для памяти FPM и 25 МГц для обычного динамического ОЗУ. Если память является 64-разрядной, она может выполнять операции ввода-вывода со скоростью 8 х 70 = 560 Мбайт/с, чего более чем достаточно для компьютера с шиной PCI, работающей с тактовой частотой 33 МГц.

Память EDO DRAM, работающая в пакетном (burst) режиме (BEDO), является более быстродействующей, чем обычная память EDO DRAM. Она поддерживает пакетный режим работы, в котором при первом доступе к памяти необходимо лишь указать адрес строки и столбца, а счетчик внутри ИС памяти будет при этом автоматически наращивать свое значение для указания адреса при трех последующих доступах, поэтому адрес столбца для них указывать не нужно. Это позволяет еще больше сократить время цикла обращения к памяти, давая возможность осуществлять доступ в пакетном режиме по формуле 6-1-1-1 (для памяти BEDO DRAM со временем доступа 52 нc, работающей на шине памяти с тактовой частотой 66 МГц, это позволяет осуществлять последовательный доступ к ячейкам памяти через каждые 10 нc).

Доступ к памяти в режиме 4-х 32-разрядных пакетов является весьма распространенным, поскольку это соответствует типичной разрядности шины кэша второго уровня, которая составляет 128 разрядов.

Память EDO DRAM была распространена в ПК в 1996 году, сменив память FPM. Разница в цене была минимальной, однако EDO DRAM работала быстрее.

Технология статического ОЗУ все еще остается более быстродействующей, чем динамического.


Опубликовано 25 октября 2000 г.

Публикация материалов сайта в любом виде, полностью или
частично, допускается только с разрешения администрации сайта.


Главная

Техническая информация

Память

EDO RAM - Extended Data Out Dynamic Random Access Memory

<< оглавление

версия для печати



Статьи по этой теме:


Сделано на «Интернет Фабрике»


каталог | техническая информация
о компании | архив новостей | обратная связь
как нас найти | карта сайта

© Colan, 2001

Тел.: (495) 363-01-31, 785-55-90

e-mail: inf@colan.ru

© ООО “COLAN”. Все права защищены.

"Реальные" адреса...